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Vishay Siliconix SISH110DN-T1-GE3
| Artikelnummer: | SISH110DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
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- Spezifikationen
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- Versandinformationen
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Vishay Siliconix SISH110DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SISH110DN-T1-GE3.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® 1212-8SH Serie TrenchFET® Gen II Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3mOhm @ 21.1A, 10V Verlustleistung (max) 1.5W (Ta) Verpackung / Gehäuse PowerPAK® 1212-8SH Paket Tape & Reel (TR) Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 4.5 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13.5A (Ta) Grundproduktnummer SISH110 -
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